Micron принимает меры для защиты от утечек технологий DRAM в Китай

Ранее представители компании Micron уже высказывали опасения, что планы китайских компаний построить на территории материкового Китая как минимум три новых гигантских завода по выпуску памяти DRAM и NAND нанесёт серьёзный удар по отрасли.

Это будет чревато перепроизводством и обесцениванием компьютерной памяти, что сделает невозможным инвестиции в развитие отрасли. Чтобы предотвратить подобный сценарий, в компании Micron отказываются продавать китайским компаниям технологии производства DRAM. К огорчению для Micron, не все могут устоять перед искушением заработать на китайцах и вместе с китайцами.

Слабым звеном стала тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC). Напомним, UMC собирается наладить в Китае производство памяти совместно с местной компанией GigaDevice и властями города Хэфэй (Hefei). Технологию производства DRAM на мощностях совместного предприятия в Китае разрабатывают в лаборатории UMC на тайваньском заводе компании в Южном технологическом парке. В разработке также принимают участие китайские инженеры, командированные на Тайвань компанией Fujian Jinhua. Как видим, UMC готовится импортировать технологию выпуска памяти в Китай, что, как стало известно, очень не понравилось компании Micron.

По сообщению тайваньского издания Economic Daily News (EDN), на которое сослался тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, компания Micron инициировала на Тайване судебные преследования бывших своих сотрудников из местного населения. Это инженеры, ранее работавшие в совместных или дочерних предприятиях Micron: в компаниях Inotera Memories и Rexchip Electronics. Допрошено около 100 бывших сотрудников. Некоторым из подозреваемых запрещено покидать Тайвань до завершения расследования. Это специалисты, которые намеревались устроиться на работу в компании Hefei Chang Xin, Tsinghua Unigroup и Fujian Jinhua Integrated Circuit. Что более существенно, временно остановлена разработка технологии производства DRAM в лабораториях компании UMC.

Источник: 3DNews




Добавить комментарий

Войти с помощью: