Qualcomm Snapdragon 845 будет выполнен по 7-нм техпроцессу

Прошлогодние процессоры Snapdragon 820 и 821 получились крайне удачными и вернули доверие к компании Qualcomm после Snapdragon 810, который сильно нагревался во время работы.

Несмотря на то, что новый Snapdragon 835 пока доступен только в Samsung Galaxy S8/S8+ и Xiaomi Mi6, данный чипсет также демонстрирует высокую производительность и в то же время низкое энергопотребление. Достигается это за счёт 10-нм техпроцесса. Останавливаться на достигнутом успехе компания Qualcomm не намерена. В сети уже появилась информация о том, что следующий флагманский чипсет Snapdragon 845 будет построен по 7-нм техпроцессу.

Предполагается, что Snapdragon 845, как и Snapdragon 835, будет разработан в сотрудничестве с Samsung. По слухам, данный чипсет будет построен на основе 7-нм техпроцесса следующего поколения, разработанного тайваньской компанией TSMC. Она уже начала пробное производство первых тестовых чипсетов, но массовое изготовление процессоров начнётся только в следующем году.

По словам представителей TSMC, новый 7-нм техпроцесс обеспечит увеличение производительности на 25-35% по сравнению с нынешним 10-нм техпроцессом. За счёт уменьшения физических размеров чипа производители смогут использовать свободное место для уменьшения толщины устройств или же установки аккумуляторов большей ёмкости.

Источник: «4PDA».




Добавить комментарий

Войти с помощью: